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Samsung est le premier à développer une mémoire DDR5 de 512 Go de RAM

Par Julian, le mars 25, 2021 — amd, pandémie, samsung — 3 minutes de lecture
Samsung est le premier à développer une mémoire DDR5 de 512 Go de RAM

Samsung vient d’annoncer qu’il est le premier au monde à développer un module mémoire DDR5 d’une capacité de 512 Go de RAM. Le composant a été fabriqué à l’aide de la technologie HKMG haute performance et promet non seulement une plus grande capacité, mais également de meilleures performances.

Les caractéristiques de ce nouveau produit de la marque sud-coréenne sont vraiment étonnantes. Alors apprenons à le connaître un peu mieux.


Les fabricants évoluent constamment afin de créer des produits de plus en plus puissants qui servent mieux les clients. En ce sens, et même avec la rareté de certains composants sur le marché, des nouvelles de nouveaux produits, de nouveaux paris, de nouvelles usines, entre autres, apparaissent de plus en plus. Ainsi, même au milieu d’une pandémie, le monde de la technologie continue de faire des progrès significatifs.

Samsung annonce sa mémoire DDR5 avec 512 Go de RAM

Samsung a annoncé aujourd’hui un nouveau module de mémoire d’une capacité incroyable de 512 Go de RAM. Il s’agit du premier composant basé sur la norme DDR5 réalisé avec la technologie haute performance HKMG (High-K Metal Gate). En bref, la société sud-coréenne promet non seulement plus de capacité, mais également de meilleures performances.

Selon Samsung, ce nouveau module atteint des vitesses allant jusqu’à 7200 Mbps, et plus du double des performances offertes par la RAM DDR4. De plus, il offre des transferts jusqu’à 57,6 Go / s et une réduction de 13% de la consommation d’énergie.

La technologie HKMG est utilisée par Samsung depuis 2018 dans les solutions GDDR6, étant largement adoptée dans les cartes graphiques. Dans ce cas, la technologie améliore l’isolation actuelle des modules de mémoire, car elle ignore le silicium et utilise un nouvel ensemble de métaux dans la construction du composant.

Selon le sud-coréen, le module est réalisé avec la technologie TSV (Through-Silicon Via), utilisée par la marque depuis 2014 lorsqu’elle a introduit des modules serveurs d’une capacité allant jusqu’à 256 Go.

Ce nouveau module DDR5 dispose de huit couches de puces DRAM de 16 Go pour offrir une capacité de 512 Go.

Pour l’instant, ces nouveaux modules atteignent d’abord les centres de données et les solutions d’intelligence artificielle. Samsung précise que le composant sera compatible avec les processeurs Xeon « Sapphire Rapids », qui arrivent cette année.

L’utilisation de mémoires DDR5 dans les ordinateurs personnels pourrait commencer à avoir un impact plus important sur les prochaines générations de processeurs d’Intel et d’AMD. On estime que la gamme Alder Lake et les puces Zen 4 arriveront déjà sur le marché avec la prise en charge de cette technologie.

Julian

Julian

Je suis correspondant principal chez WebVZ; le site hebdomadaire consacré à l'avenir des médias, la technologie, la culture (série, film, musique) et jeux-vidéo. J'anime parfois (en plus de mes articles), une série de d'interviews percutantes avec les principaux acteurs de l'industrie des médias et de la technologie.

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